MD可控硅模塊作為電路中非常重要的一個(gè)基礎(chǔ)元件，它也有好壞之分，其好壞的合適與否都直接關(guān)系到運(yùn)行質(zhì)量的好壞，所以，在選購(gòu)MD可控硅模塊前學(xué)會(huì)如何判斷可控硅的好壞是非常重要的，選擇好的MD可控硅模塊，可以保證運(yùn)行的質(zhì)量和性能。
       其實(shí)，判斷MD可控硅模塊是否完好也并不難，需要從四個(gè)方面來(lái)進(jìn)行檢查和判斷：首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)是否完好；其次就是在陰極與陽(yáng)極之間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通；緊接著就是當(dāng)控制極開(kāi)路時(shí)，陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通；第四就是給控制極加上正向電流，給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，MD可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。

       只有MD可控硅模塊能夠滿足上述條件，才能說(shuō)明MD可控硅模塊是優(yōu)質(zhì)的。當(dāng)然，判斷起來(lái)也非常簡(jiǎn)單，只需要使用萬(wàn)用表的歐姆檔測(cè)量可控硅的極間電阻。具體的做法就是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低，或近于無(wú)窮大，說(shuō)明可控硅模塊已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開(kāi)路，此可控硅不能使用了。
       接著就是檢測(cè)MD可控硅模塊的三個(gè)PN結(jié)是否完好或者損壞，可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
       基本上來(lái)說(shuō)，通過(guò)以上方法就能夠判斷出MD可控硅模塊的好壞了。
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