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如何測(cè)量MFC可控硅模塊三個(gè)極?

來(lái)源:昆二晶發(fā)布日期:2018-12-12關(guān)注:-
    鑒別MFC可控硅模塊三個(gè)極的方法其實(shí)很簡(jiǎn)單,可以根據(jù)P-N結(jié)的原理,用萬(wàn)用表測(cè)量一下MFC可控硅模塊三個(gè)極之間的電阻值就可以。

可控硅模塊


    MFC可控硅陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)。
    MFC可控硅模塊控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此MFC可控硅模塊的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷態(tài)狀,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿。
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