晶閘管模塊又稱可控硅模塊，在高電壓、大電流的應(yīng)用場合，在晶閘管模塊參數(shù)選擇上，往往很多用戶都不知道該如何選擇，接下來就由晶閘管模塊廠家昆二晶來為您講解。

           (1)晶閘管模塊正反向電壓的選擇
           晶閘管模塊工作時，必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在使用電壓峰值的2-3倍以上。
           (2)晶閘管模塊額定工作電流參數(shù)的選擇
           晶閘管模塊的額定電流是在一定條件下的相當大通態(tài)平均電流IT 。由于變流器工作時，各臂的晶閘管模塊可能有不均流因素，而且它通常是小于170℃導(dǎo)通角工作。所以它的額定電流應(yīng)選擇其正常工作電流平均值的1.5-2.0倍。
           (3)晶閘管模塊門極(控制級)參數(shù)的選擇
           晶閘管?？奸T極施加控制信號使它由阻斷變成導(dǎo)通需經(jīng)歷一段時間，這段時問稱開通時間tgt 。在在串并聯(lián)運行時應(yīng)盡量選擇tgt接近的晶閘管。如果相差太大，在串聯(lián)運行時將引起正向電壓無法平均分配，使開通時間tgt較長的晶閘管受損。并聯(lián)運行時tgt較短的晶閘管將分配更大的電流而受損。
           在不允許晶閘管模塊誤導(dǎo)通的設(shè)備中，如電機調(diào)速等，可選擇門極觸發(fā)電壓、電流稍大一些的管子(如觸發(fā)電壓VGT > 2V,觸發(fā)電流IGT > 150mA)以保證不出現(xiàn)誤導(dǎo)通，在觸發(fā)脈沖功率大的電路中也可選擇觸發(fā)電壓、電流稍大一點的晶閘管。
           (4)晶閘管模塊關(guān)斷時間(tg) 的選擇
           晶閘管模塊關(guān)斷后需要一定的時間恢復(fù)其阻斷能力。從正向電流過零到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的相當小時聞間隔是可控硅的關(guān)斷時間tg，工作頻率與關(guān)斷時間有關(guān)。大于50周使用時一定要對關(guān)斷時間參數(shù)作選擇，一般快速晶閘管(即KK型晶閘管)的關(guān)斷時間在10-50μs，其工作頻率可達到1K-4KHZ;中速晶閘管(即KPK型晶閘管)的關(guān)斷時間在60-100μs，其工作頻率可達幾百至lKHZ。
           (5)晶閘管模塊電壓上升率(dV/dt)和電流上升率(di/dt) 的選擇
           晶閘管模塊在阻斷狀態(tài)下，所加的正向電壓的上升率超過一定值，器件就會轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，使可控硅誤導(dǎo)通。選擇足夠的dV/dt的晶閘管。一般500A的晶閘管dV/dt在100-200V/μs。工作頻率在幾百HZ以內(nèi)應(yīng)選用dV/dt在200-1000V/μs之間KK或KPK晶閘管。
           當門極加觸發(fā)脈沖后，晶閘管模塊首先在門極附近的小區(qū)域內(nèi)導(dǎo)通.再逐漸擴大，直至全部結(jié)面導(dǎo)通，因此如在剛導(dǎo)通時陽極電流上升太快，可能使PN結(jié)的局部燒壞。普通晶閘管(500A)的di/dt在50一300A/μs，在工頻條件下，di/dt在50A/μs以下就可以滿足使用;在變頻條件下，di/dt必須在100A/μs以上。下列情況對dV/dt和di/dt的要求都比較高，必須選用較大dV/dt和di/dt的晶閘管：①陽極電壓高而且在峰值時觸發(fā)，②接有大容量電容的回路。
           昆二晶晶閘管模塊真專家，為了您滿意，我們真的走心了。若對我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑，昆二晶歡迎您咨詢，咨詢電話：0577-62627555！