可控硅模塊，全稱可控硅整流元件，以下是對(duì)可控硅模塊的結(jié)構(gòu)介紹。
        可控硅模塊是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：第一層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是以一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
        以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)榭煽毓枘K的特性類似于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱 晶閘管T，又因?yàn)榫чl管最初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅模塊SCR.
        在性能上，可控硅模塊不僅具有 單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài).
        可控硅模塊能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此功率，因元件開關(guān)損耗顯著增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用.

        可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小 功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú) 噪音；效率高，成本低等等.
        可控硅模塊的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的 過(guò)載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通.
        可控硅模塊從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形.
        可控硅模塊元件的結(jié)構(gòu)：
        不管可控硅模塊的外形如何，可控硅的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)，有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G，所以可控硅模塊是一種四層三端的半導(dǎo)體器件.
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