晶閘管模塊是一種電流控制型的雙極型半導體器件，它求門極驅(qū)動單元類似于一個電流源，能向晶閘管模塊的門極提供一個特別陡直的尖峰電流脈沖，以保證在任何時刻均能可靠觸發(fā)晶閘管模塊。晶閘管模塊的門極觸發(fā)脈沖特性對晶閘管的額定值和特性參數(shù)有非常強烈的影響。我們建議用戶應(yīng)用中采用強觸發(fā)方式，觸發(fā)脈沖電流幅值IG大于或等于10IGT；脈沖上升時間tr≤1μs。為了保證器件可靠工作，IG必須遠大于IGT。
       但在實際應(yīng)用中，許多用戶觸發(fā)脈沖電流幅值和脈沖上升時間遠未能滿足上述要求。尤其在電機軟啟動領(lǐng)域，許多整機廠給出的觸發(fā)脈沖非常臨界，某些情況下竟無法讓元件開通。在中頻電源領(lǐng)域，逆變器件的觸發(fā)脈沖一般陡度較差。針對不同門極觸發(fā)條件對晶閘管模塊開通特性的影響問題，我們進行了一系列的模擬試驗。
       1．一般要求：
       鑒于晶閘管模塊的門極觸發(fā)脈沖特性對晶閘管開通過程的影響。好的觸發(fā)脈沖可以使器件的開通時間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強。用戶應(yīng)用中應(yīng)采用強觸發(fā)方式；
       觸發(fā)脈沖電流幅值：IG=10IGT；
       脈沖上升時間：tr≤1ms；
       門極脈沖寬度大于50微秒;
       為了保證器件可靠工作，IG必須遠大于IGT。
       2．高di/dt下運用：
       器件在高di/dt下運用時，特別是當晶閘管模塊的阻斷電壓很高時，在開通過程中門-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會超過門極電壓，嚴重時，甚至會使門極電流倒流。這種負的門極電流會引起開通損耗增加或器件因di/dt損壞?？赡軙е缕骷遜i/dt損壞。
       如果一只Y50KKE器件在VG10V，di/dt1200A/μs條件下的IG波形?？梢娫谄骷_通1ms后，出現(xiàn)了門極電流倒流的現(xiàn)象。

       因此，我們要求在高di/dt下運用時，門極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V，或在門極線路上串聯(lián)二極管，防止門極電流倒流。
       3．晶閘管模塊串并聯(lián)使用
       晶閘管模塊的串聯(lián)：晶閘管串聯(lián)管應(yīng)用時，要求其相互串聯(lián)的每個晶閘管模塊應(yīng)盡可能地一致開通，這是因為較慢開通的器件可能承受過電壓，這就要求同組相串聯(lián)的晶閘管模塊之間有最小的門極開通延遲時間偏差Δtd，而強的門極觸發(fā)脈沖能使這個延遲時間偏差Δtd降到最小。
       晶閘管模塊的并聯(lián)：陡而強的門極觸發(fā)脈沖能使并聯(lián)晶閘管模塊開通特性的不平衡降至最小，從而使有最佳的均流效果。
       在晶閘管模塊串并聯(lián)使用時，要求：
       IGM≈1-3A
       diG/dt≥1A/ms
       tr≤1ms
       tp(IGM)=5-20ms
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