晶閘管模塊和IGBT都是功率半導(dǎo)體器件。晶閘管模塊和IGBT的阻斷高壓的能力主要取決于器件結(jié)構(gòu)中特定PN結(jié)的反偏擊穿電壓。在功率器件中反偏PN結(jié)擊穿電壓往往又受到PN結(jié)終結(jié)處表面特性或外界氣氛影響，提前出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。而晶閘管模塊和IGBT的終結(jié)端就是為了避免此現(xiàn)象發(fā)生而專門設(shè)計的特殊結(jié)構(gòu)。結(jié)終端結(jié)構(gòu)可分為截斷型和延伸型兩大類。

        晶閘管模塊的硅片邊緣表面造型、腐蝕、表面鈍化等設(shè)計和工藝就是為了減小表面電場，阻斷外界干擾，這是截斷型的通常做法。
        IGBT和晶閘管模塊不同的是用的是平面工藝，結(jié)終端是延伸型。在主結(jié)邊緣處設(shè)置一些延伸結(jié)構(gòu)，起到主結(jié)耗盡區(qū)向外擴(kuò)展作用，從而降低其內(nèi)的電場強(qiáng)度，避免提前擊穿發(fā)生。
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