晶閘管模塊的強觸發(fā)詳細說明
昆二晶晶閘管模塊以其良好的通斷性能,廣泛應(yīng)用于各類儀器設(shè)備當中。作為一種電流控制型的雙極型半導(dǎo)體器件,晶閘管模塊能夠向門極提供一個特別陡直的尖峰電流脈沖,以保證在任何時刻均能可靠觸發(fā)晶閘管。晶閘管模塊的門極觸發(fā)脈沖特性對晶閘管的額定值和特性參數(shù)有非常強烈的影響。采用強觸發(fā)方式可以使器件的開通時間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強。下面,對昆二晶晶閘管模塊的強觸發(fā)予以詳細介紹:
一.觸發(fā)脈沖幅值對晶閘管模塊開通的影響
晶閘管模塊的門極觸發(fā)電流幅值對元件的開通速度有十分明顯的影響,高的門極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開通時間。在觸發(fā)脈沖幅值僅為器件IGT時,器件雖可開通,但器件開通時間延遲明顯,會高達數(shù)十微妙,這對于整機設(shè)備的可靠控制、安全運行是不利的。
二.觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管模塊開通的影響
觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管模塊的開通速度也有明顯的影響,觸發(fā)脈沖上升時間越長,效果就等于降低了門極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡,上升時間越短的情況下,晶閘管模塊的開通時間也越短。
三.晶閘管模塊可靠觸發(fā)對門極觸發(fā)源要求
(1) 一般要求:
觸發(fā)脈沖電流幅值:IG = 10 IGT;
脈沖上升時間:tr≤1μs;
(2) 高di/dt下運用:
器件在高di/dt下運用時,特別是當晶閘管模塊的阻斷電壓很高時,在開通過程中門-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會超過門極電壓,嚴重時,甚至會使門極電流倒流。這種負的門極電流會引起開通損耗增加,可能會導(dǎo)致器件高di/dt損壞。
因此,我們要求在高di/dt下運用時,門極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V,或在門極線路上串聯(lián)二極管,防止門極電流倒流。
(3) 晶閘管模塊串并聯(lián)使用
晶閘管模塊的串聯(lián):晶閘管串聯(lián)管應(yīng)用時,要求其相互串聯(lián)的每個晶閘管模塊應(yīng)盡可能地一致開通。晶閘管模塊的并聯(lián):陡而強的門極觸發(fā)脈沖能使并聯(lián)晶閘管開通特性的不平衡降至最小,從而使有最佳的均流效果。
昆二晶晶閘管模塊真專家,為了您滿意,我們真的走心了。若對我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555!
一.觸發(fā)脈沖幅值對晶閘管模塊開通的影響
晶閘管模塊的門極觸發(fā)電流幅值對元件的開通速度有十分明顯的影響,高的門極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開通時間。在觸發(fā)脈沖幅值僅為器件IGT時,器件雖可開通,但器件開通時間延遲明顯,會高達數(shù)十微妙,這對于整機設(shè)備的可靠控制、安全運行是不利的。
二.觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管模塊開通的影響
觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管模塊的開通速度也有明顯的影響,觸發(fā)脈沖上升時間越長,效果就等于降低了門極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡,上升時間越短的情況下,晶閘管模塊的開通時間也越短。
三.晶閘管模塊可靠觸發(fā)對門極觸發(fā)源要求
(1) 一般要求:
觸發(fā)脈沖電流幅值:IG = 10 IGT;
脈沖上升時間:tr≤1μs;
(2) 高di/dt下運用:
器件在高di/dt下運用時,特別是當晶閘管模塊的阻斷電壓很高時,在開通過程中門-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會超過門極電壓,嚴重時,甚至會使門極電流倒流。這種負的門極電流會引起開通損耗增加,可能會導(dǎo)致器件高di/dt損壞。
因此,我們要求在高di/dt下運用時,門極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V,或在門極線路上串聯(lián)二極管,防止門極電流倒流。
(3) 晶閘管模塊串并聯(lián)使用
晶閘管模塊的串聯(lián):晶閘管串聯(lián)管應(yīng)用時,要求其相互串聯(lián)的每個晶閘管模塊應(yīng)盡可能地一致開通。晶閘管模塊的并聯(lián):陡而強的門極觸發(fā)脈沖能使并聯(lián)晶閘管開通特性的不平衡降至最小,從而使有最佳的均流效果。
昆二晶晶閘管模塊真專家,為了您滿意,我們真的走心了。若對我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555!
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