一般情況下晶閘管模塊應(yīng)該是鋁墊片或銀墊片先熔化，然后才是硅片和鉬片，而鋁墊片或銀墊片也不會(huì)小面積熔化，應(yīng)該是所有有效面積的墊片都會(huì)熔化。鋁墊片或銀墊片熔化后一是有可能產(chǎn)生隔離層使陰極和陽(yáng)極開(kāi)路，二是鋁墊片或銀墊片高溫熔化后與硅片的接合部有可能材質(zhì)發(fā)生變化，產(chǎn)生絕緣的物質(zhì)，造成陰極、陽(yáng)極開(kāi)路的現(xiàn)象。那么電壓擊穿與晶閘管表面燒壞的痕跡(小黑點(diǎn)或大面積熔化)有什么關(guān)系呢?
       1.由于晶閘管沒(méi)看見(jiàn)的電壓參數(shù)下降或線(xiàn)路產(chǎn)生的過(guò)電壓超過(guò)其額定值造成其絕緣強(qiáng)度相對(duì)降低，因此發(fā)生啟弧放電現(xiàn)象，而弧光的溫度是非常高的，遠(yuǎn)大于芯片各金屬的熔點(diǎn)，因此燒毀晶閘管，又由于芯片外圓邊緣、芯片陰極-陽(yáng)極表面之間的絕緣電壓強(qiáng)度不是完全一致的，只有在相對(duì)絕緣電壓較低的那點(diǎn)啟弧放電，因此電壓擊穿表現(xiàn)為在芯片陰極表面或芯片的邊緣有一小黑點(diǎn)。

       2.由于晶閘管模塊的電流、dv/dt、漏電、關(guān)斷時(shí)間、壓降等參數(shù)下降或線(xiàn)路的原因造成其芯片溫度過(guò)高，超過(guò)結(jié)溫，造成硅片內(nèi)部金屬格式發(fā)生變化，引起其絕緣電壓降低，因此發(fā)生啟弧放電現(xiàn)象，弧光產(chǎn)生的高溫將墊片、硅片、鉬片熔化、燒毀，同時(shí)也會(huì)將外殼與芯片相連的金屬熔化。由于芯片溫度過(guò)高需要較長(zhǎng)的時(shí)間，是慢慢積累起來(lái)的，因此超溫的面積是較大的，燒壞的面積也是較大的。
       3.由于di/dt、開(kāi)通時(shí)間燒壞的晶閘管模塊雖然也是一小黑點(diǎn)，但燒壞的位置與真正的電壓擊穿是不同的，其燒壞的機(jī)理與上面2所述的是一樣的，只是由于芯片里面的小可控硅比較小，所以形成的燒毀痕跡亦較小，實(shí)際是已經(jīng)將小可控硅完全燒毀了。
       綜上所述，無(wú)論什么原因燒壞晶閘管模塊，最終都是由于晶閘管模塊絕緣電壓相對(duì)降低，然后啟弧放電，產(chǎn)生高溫，使晶閘管模塊芯片金屬甚至外殼金屬熔化，致使晶閘管模塊短路，損壞。采購(gòu)可控硅歡迎訪(fǎng)問(wèn)昆二晶阿里巴巴https://semikrons.1688.com/?spm=b26110380.2178313.result.52.202a71fdDfJx6c
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